受美元走貶 淡季效能影響 3月DRAM、NAND Flash價格下滑(HKEPC)

DRAM 現貨市場上週 (3/4-3/10) 價格再呈現下滑走勢， eTT 顆粒 DDR2 512Mb 和 DDR2 1Gb 的收盤價分別為 0.84 美元與 1.69 美元，跌幅 2.3% 與 3.4% ；品牌顆粒部份 DDR2 512Mb 和 DDR2 1Gb 則滑落 1.0%-1.5% 。

DRAMeXchange 分析師指出，近期因美元走貶的關係， DRAM 原廠與模組廠紛紛延緩出貨速度以降低匯兌損失，但相對的也增加了手上庫存的壓力；另一方面在淡季效應影響下與德國 CeBIT 的開展，使得整體現貨市場交投清淡，導致現貨價格的滑落。

據 瞭解，三月上旬合約市場， DDR2 667 1GB 的記憶體模組均價下跌 2.8% 到 17.5 美元，而 DDR2 667 2GB 模組均價則下滑至 40 美元，跌幅約 4.8% 。由於 OEM 廠商手上仍有不少的庫存，加上淡季因素與價格處於下跌趨勢，對於三月下旬合約價的議定將有一定的難度。

至於在 NAND Flash 方面，根據 DRAMexChange 最新出爐的三月上旬合約價，整體跌幅在 0-15% ，其中主流的 MLC 產品跌幅大多在 0-8% ，而佔 NAND Flash 整體出貨比重較低的 SLC 產品跌幅相對較大。

主 要是因為中國市場在春節假期受雪災與電力中斷的影響， NAND Flash 相關產品銷售不如市場預期，使得二月底以來的節後補貨需求並不明顯，再加上目前已進入傳統電子業的淡季，以及需求面目前尚未完全明朗化，導致合約價格呈現 持續走軟的情況到三月下旬。展望未來，若 2008 年第二季 NAND Flash 相關需求開始逐漸回溫的話，合約價也將會呈現止穩回升的狀況。