Samsung GDDR5實現6GHz速度 有助繪圖卡效能提升 最快2010年普及(HKEPC)

記憶體顆粒龍頭 Samsung 宣佈，下一代繪圖用 GDDR5 記憶體顆粒在時脈上取得了重大突破，現時已可運作最高 6GHz 速度，此舉將有利提升繪圖卡效能及減低成本，預期 GDDR5 技術可運於 2010 年普及。

據瞭解， Samsung 近期成功產出容量為 512Mb (16Mb x 3) 的 GDDR5 記憶體顆粒，並成功運作於 6GHz 水平，即單顆記憶體頻寬高達 24GB/s ，相比現時 GDDR4 顆粒最高速度僅 2.5GHz ，擁有著大幅的效能提升空間。

據 Samsung 半導體繪圖記憶體事業群市場總監 Mueez Deeen 指出， Samsung GDDR5 顆粒可大幅提升繪圖硬件效能，同時為軟件設計師帶來更大空間，讓遊戲及繪圖世界能更加真實，減少因記憶體頻寬不足而造成的規範。

除了在速度上有著進步， Samsung 亦指出 GDDR5 記憶體將擁有更省電的效果， GDDR5 工作電壓為 1.5v ，相比 GDDR3 的 1.8V 為少，預期 GDDR5 顆粒將比 GDDR4 省電 20% 。

根據 Samsung 繪圖用記憶體最新規格， Samsung 已在上月向繪圖業者提供 GDDR5 的工程樣本，預期可在 2008 年上半年開始量產。而 6GHz 的 GDDR5 技術白皮書，將會在 ISSCC 2008 大會上正式發佈。

據繪圖業者表示，期待 GDDR5 記憶體顆粒的來臨，將有效提升繪圖卡效能及減省成本，可望在四顆 GDDR5 128Bit 介面配置下，達成以往要八顆 GDDR3 256Bit 介面的記憶體頻寬速度，令主流級繪圖卡更具競爭力。

根據 DRAMeXchange 預期， GDDR4 將會成為過渡產品，而 GDDR5 雖然會成為主流，但最新最快亦在 2010 年才能普及，因此在未來 2 年 GDDR3 仍會是繪圖卡記憶體顆粒主流。